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Datasheet下载- 型号： RN1106ACT(TPL3)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN1106ACT(TPL3)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN1106ACT(TPL3)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN1106ACT(TPL3)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RN1106ACT(TPL3)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN1106ACT(TPL3) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 RN1106ACT(TPL3)、品牌为 Toshiba Semiconductor and Storage 的晶体管，属于 预偏置双极型晶体管（BJT），其主要应用场景包括： 该器件常用于 便携式电子设备、通信设备和消费类电子产品 中的 开关与放大电路。由于其内置预偏置电阻，可简化外围电路设计，提高稳定性，因此特别适用于 逻辑电平转换、信号开关、LED驱动、继电器控制以及小型马达驱动 等场景。 此外，该晶体管在 电源管理电路 和 传感器接口电路 中也广泛应用，可用于实现高效的电路控制与信号处理。其封装形式适合表面贴装工艺，便于自动化生产，广泛应用于 智能手机、平板电脑、工业控制系统和汽车电子模块 等领域。 总结来说，RN1106ACT(TPL3) 凭借其集成化设计与高可靠性，适用于对空间和功耗有要求的中低功率应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRAN NPN CST3 50V 100A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1106ACT |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | RN1106ACT(TPL3) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | CST3 |
| 其它名称 | RN1106ACT(TPL3)DKR |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 80mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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