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PDTC123JT,235产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC123JT,235由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC123JT,235价格参考。NXP SemiconductorsPDTC123JT,235封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)。您可以下载PDTC123JT,235参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTC123JT,235 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTC123JT,235 是 NXP USA Inc. 推出的一款数字晶体管(内置偏置电阻的NPN型双极结型晶体管,即预偏置BJT),集成了基极-发射极间10kΩ上拉电阻和基极-集电极间10kΩ反馈电阻(R1=R2=10kΩ),具有简化电路设计、节省PCB空间和提高可靠性等优势。 典型应用场景包括: ✅ 数字逻辑电平转换与驱动:在微控制器(如ARM、AVR、PIC)IO口驱动能力不足时,用作低功耗开关,控制LED指示灯、小型蜂鸣器或继电器线圈(≤100mA负载)。 ✅ 信号调理与接口电路:用于传感器输出信号的电平整形(如将开漏输出转为推挽输出)、按键消抖后的信号缓冲,或I²C总线中的上拉增强。 ✅ 便携式电子设备:因SOT-23封装尺寸小、功耗低(最大VCE(sat)仅0.15V @ IC=10mA),广泛应用于智能手机、可穿戴设备、蓝牙模块等对体积与能效敏感的产品中。 ✅ 工业控制板卡:作为隔离式输入/输出通道的前端开关元件,配合光耦或MCU实现安全电平隔离与状态检测。 注意:该器件不适用于高功率放大、高频射频或精密模拟放大场景;其最大集电极电流IC为100mA,需确保实际负载电流及功耗(Ptot ≤ 250mW)在规格范围内。应用时建议参考NXP官方数据手册(Rev. 9.0)进行热设计与驱动条件验证。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN W/RES 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTC123JT,235- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTC123JT,235 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 100mV @ 250µA, 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,5V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-2154-6 |
| 典型电阻器比率 | 0.047 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | /T3 PDTC123JT |
| 频率-跃迁 | - |