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  • 型号: PDTC123JT,235
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PDTC123JT,235产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC123JT,235由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC123JT,235价格参考。NXP SemiconductorsPDTC123JT,235封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)。您可以下载PDTC123JT,235参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTC123JT,235 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PDTC123JT,235 是 NXP USA Inc. 推出的一款数字晶体管(内置偏置电阻的NPN型双极结型晶体管,即预偏置BJT),集成了基极-发射极间10kΩ上拉电阻和基极-集电极间10kΩ反馈电阻(R1=R2=10kΩ),具有简化电路设计、节省PCB空间和提高可靠性等优势。

典型应用场景包括:  
✅ 数字逻辑电平转换与驱动:在微控制器(如ARM、AVR、PIC)IO口驱动能力不足时,用作低功耗开关,控制LED指示灯、小型蜂鸣器或继电器线圈(≤100mA负载)。  
✅ 信号调理与接口电路:用于传感器输出信号的电平整形(如将开漏输出转为推挽输出)、按键消抖后的信号缓冲,或I²C总线中的上拉增强。  
✅ 便携式电子设备:因SOT-23封装尺寸小、功耗低(最大VCE(sat)仅0.15V @ IC=10mA),广泛应用于智能手机、可穿戴设备、蓝牙模块等对体积与能效敏感的产品中。  
✅ 工业控制板卡:作为隔离式输入/输出通道的前端开关元件,配合光耦或MCU实现安全电平隔离与状态检测。

注意:该器件不适用于高功率放大、高频射频或精密模拟放大场景;其最大集电极电流IC为100mA,需确保实际负载电流及功耗(Ptot ≤ 250mW)在规格范围内。应用时建议参考NXP官方数据手册(Rev. 9.0)进行热设计与驱动条件验证。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN W/RES 50V

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTC123JT,235-

数据手册

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产品型号

PDTC123JT,235

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

100mV @ 250µA, 5mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 10mA,5V

产品目录绘图

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产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

SOT-23 (TO-236AB)

其它名称

568-2154-6

典型电阻器比率

0.047

典型输入电阻器

2.2 kOhms

功率-最大值

250mW

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

10000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 预偏压

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

1µA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

47k

电阻器-基底(R1)(Ω)

2.2k

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

零件号别名

/T3 PDTC123JT

频率-跃迁

-

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