Datasheet下载- 型号： NSVMMUN2132LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSVMMUN2132LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSVMMUN2132LT1G价格参考。ON SemiconductorNSVMMUN2132LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSVMMUN2132LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSVMMUN2132LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSVMMUN2132LT1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）推出的一款 预偏置双极性晶体管（BJT），其设计集成了内部基极-发射极电阻，简化了电路设计并提高了稳定性。该器件常用于需要高效、低功耗和小尺寸封装的场景。 典型应用场景包括： 1. 逻辑电平转换与开关控制：适用于数字电路中不同电压域之间的信号转换，如将微控制器输出信号驱动更高电压或更大电流负载。 2. 继电器/LED 驱动：由于具备一定的负载驱动能力，可用于小型继电器、LED指示灯或背光模块的开关控制。 3. 电源管理电路：在电池供电设备中，用于实现低功耗模式切换、负载开关或电源路径管理。 4. 汽车电子系统：因其具有良好的温度稳定性和可靠性，适合用于车载控制模块、传感器接口等对可靠性要求较高的环境。 5. 便携式电子产品：如智能手机、平板电脑、穿戴设备中的小型负载开关或信号路由应用。 该器件采用SOT-23封装，体积小巧，便于高密度布局，是通用型开关应用的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSVMMUN2132LT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 15 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 功率-最大值 | 246mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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