Datasheet下载- 型号： PDTC123TT,215
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC123TT,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC123TT,215价格参考。NXP SemiconductorsPDTC123TT,215封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTC123TT,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTC123TT,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTC123TT,215 是 NXP USA Inc. 推出的一款预偏置 NPN 型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-电阻（R₁=2.2 kΩ，R₂=10 kΩ），采用 SOT-23 小型表面贴装封装。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（如 ARM、AVR、PIC）I/O 口的负载开关，将 3.3V/5V TTL/CMOS 信号转换为足够驱动 LED、小型继电器或 MOSFET 栅极的电流； 2. LED 指示灯控制：内置偏置电阻简化电路设计，可直接连接 MCU 输出端，实现低功耗、高可靠性的 LED 开关控制； 3. 简易开关电路：替代传统分立三极管+两个偏置电阻方案，节省 PCB 面积与 BOM 成本，适用于消费电子（如遥控器、充电器状态指示）、工业传感器模块等空间受限场景； 4. 输入信号调理与缓冲：在低速信号路径中用作电平整形或电流放大，如按钮去抖后的信号增强； 5. 电池供电设备中的省电开关：具备较低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.1 V @ IC=10 mA）和关断漏电流小（ICEO < 100 nA）特性，适合便携式设备电源管理。 该器件不适用于高频放大或大功率开关场合，主要定位为低成本、高集成度的通用开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTC123TT,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTC123TT,215 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 20mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 934059941215 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | TO-236AB-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PDTC123TT T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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