Datasheet下载- 型号： NSBC114TF3T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC114TF3T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC114TF3T5G价格参考。ON SemiconductorNSBC114TF3T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBC114TF3T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC114TF3T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 NSBC114TF3T5G 的晶体管由 ON Semiconductor 生产，属于 预偏置双极型晶体管（BJT）。其主要应用场景包括： 该器件内部集成了一个 NPN 晶体管与用于基极偏置的电阻网络，常用于简化电路设计、减少外围元件数量。典型应用包括： 1. 数字开关电路：适用于逻辑控制下的负载开关，如继电器、LED 和小型电机驱动。 2. 接口电路：在微控制器与高功率设备之间提供信号放大与隔离。 3. 电源管理：用于电池供电设备中的低功耗开关控制。 4. 消费电子产品：如智能手机、可穿戴设备、家电控制模块中，因封装小、集成度高而受欢迎。 5. 工业控制系统：实现传感器信号处理或执行器驱动功能。 其优势在于集成电阻，节省PCB空间并降低成本，适合高密度和便携式电子产品设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC114TF3T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-1123 |
| 功率-最大值 | 254mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-1123 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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