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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DTC614TUT106由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC614TUT106价格参考。ROHM SemiconductorDTC614TUT106封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DTC614TUT106参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTC614TUT106 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的DTC614TUT106是一款预偏置双极性晶体管(BJT),其主要特点是集成了基极偏置电阻,简化了电路设计并提高了稳定性。该器件常用于需要快速开关和稳定性能的电路中。 应用场景包括: 1. 数字开关电路:由于内置偏置电阻,适合用于逻辑控制的开关应用,如微控制器输出驱动、继电器或LED控制。 2. 电源管理电路:可用于DC-DC转换器、负载开关或电源控制模块中,实现高效能与小型化设计。 3. 汽车电子系统:如车身控制模块、车灯驱动、传感器信号处理等,满足汽车环境对可靠性和温度范围的要求。 4. 工业自动化设备:用于PLC输入输出接口、马达驱动控制、继电器驱动等场合。 5. 消费类电子产品:如智能手机、家电控制板、充电器等,适用于对空间和功耗有要求的设计。 该晶体管采用小型表面贴装封装(如SOT-723),适合高密度PCB布局,且具备良好的热稳定性和响应速度,广泛适用于通用高频开关场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | Rohm Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | DTC614TUT106 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 2.5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 820 @ 50mA,5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | UMT3 |
其它名称 | DTC614TUT106DKR |
功率-最大值 | 200mW |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 20V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 600mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
频率-跃迁 | 150MHz |