Datasheet下载- 型号： PDTA113ZMB,315
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA113ZMB,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA113ZMB,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTA113ZMB,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTA113ZMB,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA113ZMB,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PDTA113ZMB,315是一款PNP型预偏置双极结型晶体管（BRT），内置基极-发射极电阻（R1=10kΩ）和基极-集电极反馈电阻（R2=10kΩ），具有内置偏置网络，可简化电路设计、减少外围元件数量。 该器件典型应用于低功耗数字开关与信号电平转换场景，如：微控制器I/O口驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极；便携式设备（如TWS耳机、智能手表、遥控器）中的负载开关与状态指示控制；工业传感器接口、逻辑电平适配（如3.3V MCU驱动5V负载）、电池供电系统的电源使能（Enable）控制等。其SOT883超小型封装（1.0×0.6×0.5mm）特别适合空间受限的高密度PCB布局。 PDTA113ZMB,315具备高直流电流增益（hFE=30–150 @ IC = 10mA）、低饱和压降（VCE(sat) ≤ 0.15V @ IB = 0.5mA, IC = 5mA），支持快速开关（tf ≈ 10ns），并符合AEC-Q101汽车级可靠性标准（部分批次），亦可用于车规级辅助电子模块（如车身控制单元中的LED背光/按键指示）。 总之，它适用于对尺寸、功耗、BOM精简及可靠性有较高要求的中低电流（IC ≤ 100mA）、中低频（<100MHz）开关应用，是传统分立BJT+两个偏置电阻方案的理想替代品。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA113ZMB,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名称 | 934065919315 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 频率-跃迁 | 180MHz |
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