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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA113ZMB,315由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA113ZMB,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTA113ZMB,315封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PDTA113ZMB,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTA113ZMB,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为PDTA113ZMB,315的晶体管由品牌Nexperia USA Inc.生产,属于预偏置双极性晶体管(BJT)类别。这种晶体管常用于需要简化电路设计、提高稳定性和减少外部元件数量的应用场景。 该器件主要适用于以下应用场景: 1. 开关电路:由于其内置偏置电阻,可直接用于数字开关电路中,如逻辑控制、继电器驱动、LED驱动等,无需额外配置偏置电路。 2. 放大电路:可用于低频信号放大,如音频前置放大器或传感器信号调理电路中,提供稳定的增益性能。 3. 便携式电子产品:因其封装小巧、功耗低,适合用于手机、平板电脑、穿戴设备等便携式电子产品中的电源管理或信号处理电路。 4. 工业控制:在工业自动化系统中,用于驱动小型继电器、光耦或作为接口电路中的信号转换元件。 5. 汽车电子:适用于汽车电子系统,如车载娱乐系统、车身控制模块等对稳定性和可靠性有较高要求的环境。 该晶体管采用SOT-23封装,便于表面贴装,适合大批量自动化生产。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | PDTA113ZMB,315 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 35 @ 5mA,5V |
供应商器件封装 | 3-DFN1006B(0.6x1) |
其它名称 | 934065919315 |
功率-最大值 | 250mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 3-XFDFN |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
标准包装 | 10,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
频率-跃迁 | 180MHz |