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产品简介:
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PDTB113EK,115 是 NXP USA Inc. 生产的一款预偏置型双极结型晶体管(BJT),属于数字晶体管类别,内置偏置电阻,简化电路设计。该器件采用SOT-23小型表面贴装封装,适合高密度PCB布局。 其主要应用场景包括: 1. 开关电路:由于内置偏置电阻,PDTB113EK,115 可直接通过逻辑信号驱动,广泛用于各类电子设备中的小信号开关应用,如LED驱动、继电器控制和电源通断管理。 2. 逻辑电平转换:在数字系统中实现不同电压逻辑间的信号转换,例如将3.3V MCU信号控制5V负载,结构紧凑且响应快速。 3. 便携式电子产品:因其小型化封装和低功耗特性,常用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间和能效要求严格的设备中,执行信号放大或开关功能。 4. 消费类电子与家电控制:应用于电视、机顶盒、空调控制板等,用于传感器信号处理或控制继电器/指示灯。 5. 工业与汽车电子:具备良好的温度稳定性与可靠性,适用于车载信息娱乐系统、ECU模块及小型电机驱动电路中。 PDTB113EK,115 的集成电阻设计减少了外围元件数量,提高了系统可靠性并降低了整体成本,是现代电子设计中理想的通用型预偏置晶体管解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | PDTB113EK,115 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 33 @ 50mA,5V |
供应商器件封装 | SMT3 |
其它名称 | 934058968115 |
功率-最大值 | 250mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 1k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
频率-跃迁 | - |