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  • 型号: FJV3115RMTF
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FJV3115RMTF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FJV3115RMTF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJV3115RMTF价格参考。Fairchild SemiconductorFJV3115RMTF封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载FJV3115RMTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FJV3115RMTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为FJV3115RMTF的晶体管属于安森美半导体(ON Semiconductor)生产的预偏置双极型晶体管(BJT),其主要特点是在内部集成了偏置电阻,简化了外围电路设计。该器件常用于需要高效、稳定信号处理和开关控制的应用场景。

FJV3115RMTF的主要应用场景包括:

1. 电源管理电路:如DC-DC转换器、电压调节器等,用于实现高效的电源开关控制。
2. 逻辑电平转换电路:在数字系统中实现不同电压域之间的信号转换。
3. 继电器或负载驱动电路:用于驱动小型继电器、LED、风扇等负载设备。
4. 接口电路:作为微控制器与高功率设备之间的缓冲或开关元件。
5. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、家用电器等,用于实现紧凑、低功耗的设计需求。

由于其内置偏置电阻,可以有效减少PCB布局空间和外部元件数量,提升系统可靠性,适用于对尺寸和稳定性要求较高的现代电子设备。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3开关晶体管 - 偏压电阻器 50V/100mA/2.2K 10K

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Fairchild Semiconductor FJV3115RMTF-

数据手册

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产品型号

FJV3115RMTF

PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 500µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

33 @ 10mA,5V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

FJV3115RMTF-ND
FJV3115RMTFTR

典型电阻器比率

0.22

典型输入电阻器

2.2 kOhms

功率-最大值

200mW

功率耗散

0.2 W

包装

带卷 (TR)

单位重量

60 mg

发射极-基极电压VEBO

10 V

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 预偏压

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

10k

电阻器-基底(R1)(Ω)

2.2k

直流集电极/BaseGainhfeMin

33

系列

FJV3115R

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极连续电流

0.1 A

频率-跃迁

250MHz

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