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FJV3115RMTF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FJV3115RMTF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJV3115RMTF价格参考。Fairchild SemiconductorFJV3115RMTF封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载FJV3115RMTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FJV3115RMTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为FJV3115RMTF的晶体管属于安森美半导体(ON Semiconductor)生产的预偏置双极型晶体管(BJT),其主要特点是在内部集成了偏置电阻,简化了外围电路设计。该器件常用于需要高效、稳定信号处理和开关控制的应用场景。 FJV3115RMTF的主要应用场景包括: 1. 电源管理电路:如DC-DC转换器、电压调节器等,用于实现高效的电源开关控制。 2. 逻辑电平转换电路:在数字系统中实现不同电压域之间的信号转换。 3. 继电器或负载驱动电路:用于驱动小型继电器、LED、风扇等负载设备。 4. 接口电路:作为微控制器与高功率设备之间的缓冲或开关元件。 5. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、家用电器等,用于实现紧凑、低功耗的设计需求。 由于其内置偏置电阻,可以有效减少PCB布局空间和外部元件数量,提升系统可靠性,适用于对尺寸和稳定性要求较高的现代电子设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3开关晶体管 - 偏压电阻器 50V/100mA/2.2K 10K |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Fairchild Semiconductor FJV3115RMTF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FJV3115RMTF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 33 @ 10mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | FJV3115RMTF-ND |
| 典型电阻器比率 | 0.22 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 0.2 W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 单位重量 | 60 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | 10 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 33 |
| 系列 | FJV3115R |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 250MHz |