Datasheet下载- 型号： PDTA143TU,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA143TU,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA143TU,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTA143TU,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTA143TU,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA143TU,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTA143TU,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款预偏置 NPN 型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极间电阻（R1=4.7 kΩ）和基极-集电极反馈电阻（R2=4.7 kΩ），具备 100 mA 集电极电流（IC）和 50 V 集射极电压（VCEO）额定值，采用 SOT-323（SC-70）小型表面贴装封装。 该器件主要面向低功耗、空间受限的数字开关与逻辑接口应用。典型应用场景包括： ✅ 微控制器（MCU）I/O端口驱动：直接接收3.3V/5V逻辑电平，驱动LED、小型继电器或蜂鸣器，无需外置偏置电阻，简化PCB设计； ✅ 电平转换与信号调理：在不同电压域（如3.3V MCU控制5V负载）间实现单向电平适配； ✅ 便携式电子设备中的负载开关：如TWS耳机、智能手表、IoT传感器节点中用于电源管理或模块使能控制； ✅ 消费类电子中的状态指示与按键检测电路：配合上拉/下拉结构实现可靠开关信号整形； ✅ 替代传统分立BJT+电阻方案，提升装配良率与一致性，适用于高密度、自动化贴片产线。 其内置电阻网络确保稳定饱和导通（典型hFE≈160），降低设计复杂度，同时具备良好的ESD防护能力（HBM ≥2 kV），适合工业级及消费级环境。不推荐用于线性放大或高频开关（>10 MHz）场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA143TU,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 934057535115 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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