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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA143TU,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA143TU,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTA143TU,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PDTA143TU,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTA143TU,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc.的PDTA143TU,115是一款预偏置双极性晶体管(BJT),适用于需要稳定偏置和高可靠性的电路设计。该器件常用于以下应用场景: 1. 逻辑电路与开关应用:由于其集成的预偏置电阻,PDTA143TU,115可直接用于数字电路中的开关控制,简化外围电路设计,提升响应速度和稳定性。 2. 电源管理电路:在低功耗电源管理系统中,如DC-DC转换器或负载开关,该晶体管可用于控制电源通断,提高系统效率。 3. 传感器接口电路:用于放大或开关来自传感器的小信号,尤其在工业控制和消费类电子产品中。 4. 汽车电子系统:因其高可靠性,适用于汽车中的灯光控制、电机驱动或车载电源管理模块。 5. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备中的小型开关电路或信号处理模块。 该晶体管采用小型封装,适合高密度PCB布局,且具备良好的温度稳定性和抗干扰能力,适合在复杂环境中使用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | PDTA143TU,115 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 250µA, 5mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 1mA,5V |
供应商器件封装 | SOT-323 |
其它名称 | 934057535115 |
功率-最大值 | 200mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
频率-跃迁 | - |