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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC143ZF3T5G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC143ZF3T5G价格参考。ON SemiconductorNSBC143ZF3T5G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NSBC143ZF3T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSBC143ZF3T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 NSBC143ZF3T5G 的晶体管由 ON Semiconductor 生产,属于 预偏置双极性晶体管(BJT),其设计集成了内部偏置电阻,简化了电路设计并减少了外部元件数量。 该器件主要应用于以下场景: 1. 数字开关电路:由于内置偏置电阻,适合用于逻辑控制的开关应用,如驱动继电器、LED和小型电机等负载。 2. 接口电路:常用于微控制器或逻辑电路与高电压/高电流设备之间的接口,实现电平转换和信号放大。 3. 电源管理电路:在电源开关、负载切换和电源指示灯控制等场景中表现良好。 4. 消费类电子产品:如电视、机顶盒、音响设备等内部电路中,用于信号控制和小功率驱动。 5. 工业控制:用于工业自动化设备中的传感器信号处理或执行器驱动。 该晶体管采用小信号封装(如SOT-23),适合高密度PCB布局,且具有良好的稳定性和可靠性,适用于便携设备和一般用途的电子系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NSBC143ZF3T5G |
PCN设计/规格 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 1mA,10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
供应商器件封装 | SOT-1123 |
功率-最大值 | 254mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-1123 |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
标准包装 | 8,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
频率-跃迁 | - |