Datasheet下载- 型号： DTA114EUBTL
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DTA114EUBTL由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTA114EUBTL价格参考。ROHM SemiconductorDTA114EUBTL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DTA114EUBTL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DTA114EUBTL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的DTA114EUBTL是一款预偏置的双极晶体管（BJT），属于单晶体管类型。它具有高可靠性、稳定性和良好的电气性能，适用于多种电子电路设计场景。以下是其主要应用场景： 1. 音频放大器 - DTA114EUBTL可用于音频信号放大电路中，特别是在功率放大级或驱动级。由于其预偏置特性，能够简化电路设计并提高放大器的线性度和稳定性。 - 它适合低失真、高保真音频设备，例如小型扬声器驱动器或耳机放大器。 2. 开关电路 - 在需要快速切换的电路中，该晶体管可以作为开关元件使用。例如，在脉宽调制（PWM）控制电路中，用于调节电流或电压输出。 - 预偏置功能使其能够在特定工作点下保持稳定，减少开关延迟。 3. 电源管理 - 该晶体管适用于简单的稳压电路或电流调节电路。例如，在线性稳压器中作为调整管，帮助维持输出电压的稳定性。 - 可用于电池充电电路中的电流限制功能，确保充电过程安全可靠。 4. 传感器信号放大 - 在工业自动化或物联网设备中，DTA114EUBTL可用于放大传感器输出的微弱信号。例如，温度传感器、压力传感器等的信号调理电路。 - 其预偏置特性有助于优化增益和输入阻抗匹配。 5. 电机驱动 - 在小型直流电机驱动电路中，该晶体管可以用作驱动级，将微控制器的控制信号转换为足够的电流来驱动电机。 - 它适合低功率电机应用，例如玩具、风扇或其他小型机电设备。 6. 通信设备 - 在低频通信电路中，DTA114EUBTL可用作信号放大器或调制解调器的一部分，处理低电平信号。 - 预偏置设计有助于提高信噪比和信号质量。 7. 保护电路 - 该晶体管可用于过流保护或短路保护电路中，通过检测异常电流并切断负载来保护其他器件。 - 其稳定的偏置特性可防止误触发或不稳定行为。 总结 DTA114EUBTL凭借其预偏置设计和优异的性能参数，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和家用电器等领域。具体选择时需根据实际电路需求（如电流、电压、频率等）进行合理配置。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3F开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS DIGI BJT PNP 100MA TR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTA114EUBTL- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DTA114EUBTL |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 20 @ 5mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | UMT3F |
| 其它名称 | DTA114EUBTLDKR |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-85 |
| 封装/箱体 | UMT-3F |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 50mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V |
| 集电极连续电流 | - 100 mA |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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