ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 > UNR511000L
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
UNR511000L产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供UNR511000L由Panasonic Corporation设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 UNR511000L价格参考。Panasonic CorporationUNR511000L封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - 预偏压 50V 100mA 80MHz 150mW 表面贴装 S迷你型3-G1。您可以下载UNR511000L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有UNR511000L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为UNR511000L的晶体管,属于Panasonic Electronic Components品牌下的预偏置双极性晶体管(BJT),常用于需要简化电路设计、提高稳定性的电子设备中。该器件内部集成有偏置电阻,能够有效减少外围元件数量,提升电路的可靠性与一致性。其典型应用场景包括: 1. 开关电路:适用于数字电路中的开关控制,如逻辑电平转换、继电器驱动、LED驱动等场合,提供稳定可靠的开关功能。 2. 放大电路:可用于小信号放大,如音频前置放大、传感器信号放大等低频应用,其预偏置设计有助于简化偏置电路配置。 3. 汽车电子系统:由于其稳定性和集成度高,适用于车载控制模块、传感器接口、车载娱乐系统等对可靠性要求较高的环境。 4. 工业控制设备:如PLC模块、工业传感器、继电器控制板等,用于信号处理与驱动控制。 5. 消费类电子产品:如家电控制电路、智能玩具、小型电子设备等,适用于对成本与空间敏感的应用场景。 UNR511000L凭借其预偏置特性,降低了设计复杂度,适用于需要小型化、高稳定性的电路设计,广泛应用于上述各类电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Panasonic Electronic Components |
| 数据手册 | http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+BFA7001+UNR5110+8+WW |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | UNR511000L |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 160 @ 5mA,10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | S迷你型3-G1 |
| 其它名称 | UN5110-(TX) |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | 80MHz |