Datasheet下载- 型号： MUN5140T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5140T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5140T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5140T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5140T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5140T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5140T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置型双极结型晶体管（BJT），集成了内置偏置电阻，简化了电路设计。该器件属于NPN型预偏置晶体管，适用于中小功率开关和信号放大应用。 典型应用场景包括：各类消费类电子产品中的逻辑电平转换、LED驱动控制、小功率继电器或蜂鸣器驱动、电源管理开关电路等。由于其内部集成的偏置电阻减少了外部元件数量，提升了系统可靠性并节省PCB空间，因此广泛用于便携式设备如智能手机、平板电脑、智能家居设备和可穿戴产品中。 此外，MUN5140T1G也常用于工业控制模块、传感器接口电路和低功耗微控制器外围驱动，适合需要快速开关响应和稳定工作的环境。其SOT-23小型封装便于表面贴装，适用于自动化高密度组装流程。 该器件具有良好的温度稳定性与抗干扰能力，工作温度范围宽（通常为-55°C至+150°C），可在较严苛环境下可靠运行。同时，低导通电压和高增益特性使其在电池供电设备中表现出优异的能效性能。 综上，MUN5140T1G是一款高集成度、高可靠性的预偏置BJT，特别适用于空间受限、要求简化设计和低功耗的电子控制系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 202MW |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MUN5140T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 202mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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