Datasheet下载- 型号： MUN5138T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5138T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5138T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5138T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5138T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5138T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5138T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管（BJT），属于带内置偏置电阻的数字晶体管。该器件集成了一个NPN晶体管和两个片上电阻（通常为基极-接地电阻和基极限流电阻），简化了电路设计，无需外接偏置元件。 主要应用场景包括： 1. 开关电路：适用于低电压、低电流的开关控制，如驱动LED、继电器、小型蜂鸣器等负载，广泛用于消费类电子产品和家电控制模块。 2. 逻辑电平转换与信号放大：在微控制器与外围设备之间进行信号缓冲或电平转换，提升驱动能力，常用于工业控制和通信接口电路。 3. 电源管理与启停控制：用于开启/关闭电源路径或控制其他功率器件的使能端，提高系统能效。 4. 便携式设备：因其小型化封装（如SOT-23）、低功耗特性，适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的空间受限应用。 5. 汽车电子：符合AEC-Q101标准的版本可用于车载信息娱乐系统、传感器接口和车身控制模块，实现可靠稳定的信号控制。 MUN5138T1G的优势在于集成度高、节省PCB空间、降低设计复杂度，并具有良好的温度稳定性和可靠性，特别适合批量生产的中低端功率控制场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 202MW |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MUN5138T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 202mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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