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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DTA124EET1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTA124EET1G价格参考。ON SemiconductorDTA124EET1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DTA124EET1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTA124EET1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的DTA124EET1G是一款预偏置双极结型晶体管(BJT),属于NPN型,内置基极-发射极电阻,简化了电路设计。该器件广泛应用于便携式电子设备和消费类电子产品中。 主要应用场景包括:开关电路、逻辑电平转换、LED驱动、小型继电器或负载控制、音频信号放大以及电源管理模块中的低电流开关。由于其内置偏置电阻,无需外接基极电阻,节省PCB空间,特别适合高密度贴装的便携设备,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和无线耳机等。 DTA124EET1G具有低导通电流、高可靠性及良好的热稳定性,工作温度范围宽(-55°C 至 +150°C),适用于工业控制、家用电器的小信号控制电路,以及各类需要稳定开关性能的嵌入式系统。其SOT-23封装体积小巧,便于自动化贴片生产,是现代电子产品中理想的通用预偏置晶体管解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DTA124EET1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 5mA,10V |
| 供应商器件封装 | SC-75,SOT-416 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |