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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SMUN5112T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMUN5112T1G价格参考。ON SemiconductorSMUN5112T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SMUN5112T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SMUN5112T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SMUN5112T1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极结型晶体管(BJT),属于带内置偏置电阻的NPN型晶体管。其主要特点是集成了基极和发射极之间的偏置电阻,简化了电路设计,减少了外部元件数量,提高了可靠性。 该器件广泛应用于便携式电子设备和消费类电子产品中,典型应用场景包括: 1. 开关电路:由于其内置偏置电阻,SMUN5112T1G非常适合用作逻辑电平转换、LED驱动、继电器或小负载的开关控制,常见于手机、平板电脑、智能家居设备等低电压控制系统中。 2. 信号放大:在低频小信号放大电路中,可用于音频信号或传感器信号的初级放大,适用于对空间和功耗敏感的应用。 3. 接口电路:作为微控制器与外围设备之间的缓冲或驱动元件,实现I/O扩展和电平匹配,提升系统稳定性。 4. 电源管理模块:用于电池供电设备中的电源通断控制,如开启/关闭子系统以节省能耗。 SMUN5112T1G采用SOT-23封装,体积小巧,适合高密度贴装,工作温度范围宽(-55°C 到 +150°C),具备良好的环境适应性。因其高可靠性和易用性,被广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3开关晶体管 - 偏压电阻器 SS SURFACE MOUNT |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor SMUN5112T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SMUN5112T1G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 5mA,10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-70-3(SOT323) |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 22 kOhms |
| 功率-最大值 | 202mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 系列 | MUN5112 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 频率-跃迁 | - |