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  • 型号: DDTA114ECA-7-F
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DDTA114ECA-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DDTA114ECA-7-F价格参考¥0.20-¥0.82。Diodes Inc.DDTA114ECA-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DDTA114ECA-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DDTA114ECA-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Diodes Incorporated 的 DDTA114ECA-7-F 是一款预偏置双极晶体管(BJT),内置两个串联电阻(基极与发射极电阻),简化了外部电路设计。该器件属于NPN型,适用于低电压、低电流的开关和信号放大应用。

典型应用场景包括:  
1. 便携式电子设备:由于其小型化封装(如SOT-23)和低功耗特性,广泛用于手机、平板、可穿戴设备中的逻辑电平转换、LED驱动或小信号开关控制。  
2. 电源管理电路:在DC-DC转换器或LDO使能控制中作为开关元件,实现负载通断控制,提高系统能效。  
3. 接口电路:用于微控制器与外围器件(如传感器、继电器、显示屏)之间的信号隔离与驱动,利用内置电阻减少元件数量,缩小PCB面积。  
4. 消费类电子产品:如智能家居设备、遥控器、玩具等,承担按钮去抖、继电器驱动或音频信号切换功能。  
5. 工业控制:在PLC模块、传感器信号调理电路中作为低频开关使用,提升系统集成度与可靠性。

DDTA114ECA-7-F 因其集成电阻设计,避免了传统BJT需外接偏置电阻的麻烦,提升了生产一致性,特别适合高密度贴装和自动化焊接场景。同时具备良好的温度稳定性和快速开关响应,满足多种通用晶体管需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3开关晶体管 - 偏压电阻器 PRE-BIAS PNP 200mW

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Diodes Incorporated DDTA114ECA-7-F-

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产品型号

DDTA114ECA-7-F

PCN其它

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PCN设计/规格

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RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 500µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

30 @ 5mA,5V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

SOT-23-3

其它名称

DDTA114ECA-FDICT

典型电阻器比率

1

典型输入电阻器

10 kOhms

功率-最大值

200mW

功率耗散

0.2 W

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

- 3 V

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP - 预偏压

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

10k

电阻器-基底(R1)(Ω)

10k

直流集电极/BaseGainhfeMin

30

系列

DDTA114E

配置

Single

集电极连续电流

- 0.1 A

频率-跃迁

250MHz

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