Datasheet下载- 型号： PDTA113EM,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA113EM,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA113EM,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTA113EM,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTA113EM,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA113EM,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTA113EM,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款内置基极-发射极偏置电阻（R1 = R2 = 10 kΩ）的 NPN 型数字晶体管（Digital Transistor, DTR），属于预偏置双极结型晶体管（BJT）单管。其典型应用场景包括： - 微控制器 I/O 口驱动：直接接收 3.3V/5V 逻辑电平，无需外接偏置电阻，简化电路，驱动LED、小型继电器或蜂鸣器等低功率负载； - 电平转换与信号开关：在不同电压域（如MCU 3.3V 与外围5V器件）间实现简易开关控制； - 电源管理中的使能控制：用于LDO或DC-DC转换器的EN引脚控制，提供可靠通断； - 消费电子与家电控制板：如打印机、机顶盒、智能电表中用于按键扫描、状态指示或传感器信号调理等低速开关场合； - 工业I/O模块：作为隔离输入缓冲或PLC数字输入前端的电平适配与抗干扰增强单元（配合上拉/下拉可提升噪声容限）。 该器件具有高直流电流增益（hFE ≥ 30 @ Ic = 10 mA）、低饱和压降（VCE(sat) ≤ 0.15 V）、ESD防护（HBM ≥ 4 kV）及AEC-Q101兼容选项（本型号为通用工业级），适用于成本敏感、空间受限且需高可靠性开关功能的中低频（<100 MHz）应用。不适用于线性放大或高频射频场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA113EM,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 1.5mA，30mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 40mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-883 |
| 其它名称 | 934058825315 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 1k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 频率-跃迁 | - |
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