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产品简介:
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ON Semiconductor(安森美)的SMMUN2116LT3G是一款预偏置型双极结型晶体管(BJT),属于单NPN结构,内置基极-发射极电阻,采用SOT-23封装。该器件集成了外接电阻功能,简化了电路设计,减少了外围元件数量,适用于空间受限和高密度布局的应用。 主要应用场景包括: 1. 便携式电子设备:如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的信号开关与逻辑电平转换,得益于其小尺寸和低功耗特性。 2. 电源管理电路:用于LED驱动、DC-DC转换器的控制开关或负载开关,实现高效能电平控制。 3. 消费类电子产品:在家电控制板、遥控器、传感器接口等中作为开关元件,提供稳定可靠的通断控制。 4. 工业与汽车电子:适用于小型继电器驱动、电机控制、车载信息娱乐系统中的信号切换,具备良好的温度稳定性与可靠性。 5. 数字逻辑接口:由于内置偏置电阻,便于直接连接微控制器输出引脚,实现I/O扩展或驱动指示灯、蜂鸣器等负载。 SMMUN2116LT3G具有低导通电压、快速开关响应和高可靠性,符合RoHS环保标准,并通过AEC-Q101车规认证,适合对品质要求较高的工业及汽车应用环境。其集成化设计降低了设计复杂度,提升了系统稳定性,是现代电子系统中理想的通用开关解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS BRT PNP 50V SOT-23 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SMMUN2116LT3G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 1mA,10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 160 @ 5mA,10V |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
功率-最大值 | 246mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
标准包装 | 10,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
频率-跃迁 | - |