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Datasheet下载- 型号： RN1107CT(TPL3)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN1107CT(TPL3)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN1107CT(TPL3)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN1107CT(TPL3)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RN1107CT(TPL3)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN1107CT(TPL3) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 RN1107CT(TPL3) 的晶体管，属于 Toshiba Semiconductor and Storage（东芝半导体与存储） 旗下的 预偏置双极性晶体管（BJT），其主要特点是内置偏置电阻，简化了电路设计，提高了稳定性。该器件广泛应用于以下场景： 1. 数字开关电路：由于内置偏置电阻，适合用于逻辑控制的开关应用，如微控制器外围驱动电路。 2. 信号放大电路：适用于小信号放大场合，如音频前置放大、传感器信号调理等。 3. 电源管理电路：可用于DC-DC转换器、负载开关或电池供电设备中的功率控制。 4. 汽车电子系统：因其稳定性和集成度高，常用于车载控制系统，如ECU模块、车载传感器驱动等。 5. 工业自动化设备：作为驱动继电器、LED指示灯或小型执行机构的开关元件。 该晶体管采用标准SOT封装，便于贴片安装，适用于高密度PCB布局。由于其内部集成偏置网络，降低了对外部电路的依赖，提升了整体可靠性，是中低功率应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRAN NPN CST3 20V 50A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1107CT |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | RN1107CT(TPL3) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | CST3 |
| 其它名称 | RN1107CT(TPL3)DKR |
| 功率-最大值 | 50mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 20V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 50mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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