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Datasheet下载- 型号： DTA114EEBTL
- 制造商： ROHM Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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DTA114EEBTL产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DTA114EEBTL由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTA114EEBTL价格参考。ROHM SemiconductorDTA114EEBTL封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 50mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3。您可以下载DTA114EEBTL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DTA114EEBTL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor（罗姆半导体）的型号 DTA114EEBTL 属于预偏置双极性晶体管（BJT），其内部集成了基极偏置电阻，简化了电路设计，提高了稳定性。该器件常用于需要逻辑电平控制和开关应用的场景。 主要应用场景包括： 1. 逻辑电路接口： 由于集成偏置电阻，适合将微控制器、逻辑IC等输出信号放大，以驱动负载如LED、继电器或小型电机。 2. 开关电路： 常用于低功率开关应用，如电源管理、负载切换、传感器信号调理等，能有效减少外围元件数量，提高可靠性。 3. 音频放大器： 可用于低频小信号放大电路，如前置放大器或音频开关控制。 4. 汽车电子系统： 适用于车载设备中的控制电路，如车灯控制、仪表盘指示灯驱动等，具备良好的温度稳定性和可靠性。 5. 消费类电子产品： 如智能手机、平板电脑、家用电器中的小型马达、风扇或LED背光控制电路。 6. 工业控制： 在PLC、传感器模块、继电器驱动等工业自动化设备中广泛应用。 该晶体管具备良好的稳定性和集成度，适合对空间和设计复杂度有要求的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3开关晶体管 - 偏压电阻器 DIGITAL TRANSISTORS 100MA 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTA114EEBTL- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DTA114EEBTL |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 20 @ 5mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | EMT3 |
| 其它名称 | DTA114EEBTLDKR |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 功率耗散 | 150 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 封装/箱体 | EMT-3F |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 50mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V |
| 集电极连续电流 | - 100 mA |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
