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  • 型号: DTC114TUBTL
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DTC114TUBTL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC114TUBTL价格参考。ROHM SemiconductorDTC114TUBTL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DTC114TUBTL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTC114TUBTL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Rohm Semiconductor(罗姆半导体)的 DTC114TUBTL 是一款 预偏置双极晶体管(BJT),属于单晶体管器件。该器件内部集成了基极电阻,简化了外围电路设计,常用于逻辑电平转换、开关控制和小信号放大等场景。

 应用场景包括:

1. 数字开关电路:适用于微控制器或数字IC与高电压/电流负载之间的接口驱动,如LED、继电器、小型马达等。
2. 电平转换电路:在不同电压系统之间进行信号转换,例如将3.3V逻辑信号转换为5V信号。
3. 缓冲器与逆变器:用于增强信号驱动能力或实现逻辑反相功能。
4. 便携设备控制:由于其封装小巧、功耗低,适合用于智能手机、平板电脑、穿戴设备等电子产品中的电源管理或信号切换。
5. 工业自动化控制:作为小功率开关元件,用于传感器信号处理或执行机构控制。

该晶体管具有较高的可靠性与稳定性,适合需要简化电路设计、节省PCB空间的应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

品牌

Rohm Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

DTC114TUBTL

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 1mA,10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 1mA,5V

供应商器件封装

UMT3

功率-最大值

200mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-70,SOT-323

晶体管类型

NPN - 预偏压

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA(ICBO)

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

-

电阻器-基底(R1)(Ω)

10k

频率-跃迁

250MHz

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