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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DDTC115GE-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DDTC115GE-7-F价格参考。Diodes Inc.DDTC115GE-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DDTC115GE-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DDTC115GE-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DDTC115GE-7-F是一款预偏置双极性晶体管(BJT),具有集成电阻,常用于简化电路设计并减少外部元件数量。该器件适用于多种电子应用,主要包括: 1. 开关电路:由于其内置电阻,可直接用于数字开关应用,如逻辑控制、继电器驱动和LED控制等。 2. 放大器电路:在低频信号放大中可用作前置放大器或驱动放大器,适合音频和模拟信号处理场景。 3. 电源管理:可用于电源开关、负载切换及电池供电设备中的功率控制。 4. 汽车电子:因其高可靠性和稳定性,适用于车载系统如车灯控制、传感器接口及ECU模块。 5. 消费类电子产品:广泛应用于手机、平板电脑、充电器等便携设备中,实现高效的信号控制与功率管理。 6. 工业自动化:用于PLC控制、电机驱动、传感器信号调理等工业场合。 该晶体管采用SOT-23封装,体积小、易于贴装,适合高密度PCB布局。其预偏置特性降低了偏置电路的设计复杂度,提高了系统稳定性和一致性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | Diodes Incorporated |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | DDTC115GE-7-F |
PCN设计/规格 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 500µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 82 @ 5mA,5V |
产品目录绘图 | |
供应商器件封装 | SOT-523 |
其它名称 | DDTC115GE-FDITR |
功率-最大值 | 150mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-523 |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
频率-跃迁 | 250MHz |