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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SMUN2114T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMUN2114T1G价格参考。ON SemiconductorSMUN2114T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SMUN2114T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SMUN2114T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的SMUN2114T1G是一款预偏置双极结型晶体管(BJT),属于NPN型,集成了内置偏置电阻,简化了电路设计。该器件广泛应用于便携式电子设备和消费类电子产品中。 主要应用场景包括:开关电路、信号放大、逻辑驱动以及各类低功耗控制电路。由于其集成电阻设计,无需外接基极偏置电阻,节省PCB空间,特别适用于高密度贴装的便携设备,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。 此外,SMUN2114T1G常用于电源管理模块中的电平转换和接口驱动,例如驱动LED指示灯、小型继电器或MOSFET栅极。其SOT-563封装体积小巧,适合空间受限的应用环境。同时,该器件具备良好的开关特性和稳定性,可在较宽温度范围内可靠工作,适用于工业控制、家用电器和通信设备中的小信号处理与控制功能。 总之,SMUN2114T1G凭借其集成化设计、小型封装和高可靠性,广泛应用于需要高效、紧凑设计的低电压、低电流场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | SMUN2114T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 功率-最大值 | 230mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |