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  • 型号: PDTA143TMB,315
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA143TMB,315由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA143TMB,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTA143TMB,315封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PDTA143TMB,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTA143TMB,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PDTA143TMB,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款预偏置 NPN 型双极结型晶体管(BJT),内置基极-发射极电阻(R1=4.7 kΩ)和基极-集电极反馈电阻(R2=4.7 kΩ),属数字晶体管(Digital Transistor, DTR)类别。其典型应用场景包括:  
1. 逻辑电平接口与信号切换:用于微控制器(如ARM、PIC、ESP32)IO口驱动LED、小型继电器或蜂鸣器,无需外置偏置电阻,简化PCB设计;  
2. 低功耗开关应用:在便携式设备(如无线传感器节点、可穿戴设备)中作为负载开关,支持最大Ic=100 mA、VCEO=50 V,满足多数低压直流控制需求;  
3. 电平转换与反相器电路:利用其内置电阻网络实现TTL/CMOS到5V/3.3V系统的简单反相驱动;  
4. 工业与家电控制模块:用于电机启停指示、状态反馈、小功率电磁阀控制等对可靠性与一致性要求较高的场合;  
5. 汽车电子辅助电路:符合AEC-Q101认证(该型号为车规级版本),适用于车身控制模块(BCM)中的非安全关键信号调理与开关功能。  
其SOT-723超小型封装(尺寸约1.2×0.8×0.5 mm)适合高密度布局,且具备良好的ESD防护(HBM ±4 kV)与热稳定性,兼顾成本、面积与设计效率。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

产品图片

产品型号

PDTA143TMB,315

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

150mV @ 250µA, 5mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

200 @ 1mA,5V

供应商器件封装

3-DFN1006B(0.6x1)

其它名称

934065931315

功率-最大值

250mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

3-XFDFN

晶体管类型

PNP - 预偏压

标准包装

10,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

1µA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

-

电阻器-基底(R1)(Ω)

4.7k

频率-跃迁

180MHz

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