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产品简介:
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PDTA143TMB,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款预偏置 NPN 型双极结型晶体管(BJT),内置基极-发射极电阻(R1=4.7 kΩ)和基极-集电极反馈电阻(R2=4.7 kΩ),属数字晶体管(Digital Transistor, DTR)类别。其典型应用场景包括: 1. 逻辑电平接口与信号切换:用于微控制器(如ARM、PIC、ESP32)IO口驱动LED、小型继电器或蜂鸣器,无需外置偏置电阻,简化PCB设计; 2. 低功耗开关应用:在便携式设备(如无线传感器节点、可穿戴设备)中作为负载开关,支持最大Ic=100 mA、VCEO=50 V,满足多数低压直流控制需求; 3. 电平转换与反相器电路:利用其内置电阻网络实现TTL/CMOS到5V/3.3V系统的简单反相驱动; 4. 工业与家电控制模块:用于电机启停指示、状态反馈、小功率电磁阀控制等对可靠性与一致性要求较高的场合; 5. 汽车电子辅助电路:符合AEC-Q101认证(该型号为车规级版本),适用于车身控制模块(BCM)中的非安全关键信号调理与开关功能。 其SOT-723超小型封装(尺寸约1.2×0.8×0.5 mm)适合高密度布局,且具备良好的ESD防护(HBM ±4 kV)与热稳定性,兼顾成本、面积与设计效率。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA143TMB,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 250µA, 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 1mA,5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B(0.6x1) |
| 其它名称 | 934065931315 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | 180MHz |