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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DTD113ZUT106由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTD113ZUT106价格参考。ROHM SemiconductorDTD113ZUT106封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DTD113ZUT106参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTD113ZUT106 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 DTD113ZUT106 的晶体管,属于 Rohm Semiconductor(罗姆半导体) 生产的 预偏置双极型晶体管(BJT),主要用于简化电路设计并提高稳定性。该器件内部集成了基极电阻,使其在开关和逻辑转换应用中具有优异的表现。 应用场景包括: 1. 数字开关电路:适用于需要将微控制器或逻辑IC信号放大以驱动负载(如LED、继电器、小型电机)的场合,无需外接偏置电阻,简化设计。 2. 逻辑电平转换:在不同电压等级之间进行信号传递时,可作为电平转换器使用,确保信号完整性。 3. 电源管理电路:用于电源控制模块中,实现对负载的高效通断控制,例如电池供电设备中的节能开关。 4. 接口电路:在传感器与主控单元之间作信号放大或隔离,提升系统稳定性和抗干扰能力。 5. 消费类电子产品:广泛应用于手机、平板、智能穿戴设备等便携产品中的低功耗开关控制。 由于其封装小巧(通常为SOT-23或类似小封装)、集成电阻、便于贴片组装,适合高密度PCB布局,是现代电子设计中常用的通用型预偏置NPN晶体管。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN 50V 500MA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTD113ZUT106- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DTD113ZUT106 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 82 @ 50mA,5V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | UMT3 |
| 其它名称 | DTD113ZUT106CT |
| 典型电阻器比率 | 10 |
| 典型输入电阻器 | 1 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70 |
| 峰值直流集电极电流 | 500 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 82 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 频率-跃迁 | 200MHz |