Datasheet下载- 型号： NSBA114TF3T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA114TF3T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA114TF3T5G价格参考。ON SemiconductorNSBA114TF3T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA114TF3T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA114TF3T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NSBA114TF3T5G的晶体管由安森美半导体（ON Semiconductor）生产，属于预偏置双极结型晶体管（BJT）。该器件通常集成一个或多个偏置电阻，简化电路设计并提升稳定性，适用于多种电子系统。 其主要应用场景包括： 1. 开关电路：适用于数字电路中的开关控制，如逻辑电平转换、继电器或LED驱动，因其内置偏置电阻可减少外围元件数量，提高可靠性。 2. 放大电路：在低频信号放大应用中表现良好，例如音频放大器的前置放大级，提供稳定的增益和较低的失真。 3. 传感器接口：用于传感器信号调理电路中，将传感器微弱信号进行初步放大或转换，适合工业控制、消费电子等场景。 4. 电源管理：在DC-DC转换器或负载开关中作为控制元件，实现高效的电源切换与管理。 5. 汽车电子：由于ON Semiconductor产品通常具备良好的温度稳定性与可靠性，NSBA114TF3T5G可用于车载电子系统，如车身控制模块、照明控制等。 该晶体管采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA114TF3T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-1123 |
| 功率-最大值 | 254mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-1123 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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