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  • 型号: DTC124EET1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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DTC124EET1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DTC124EET1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC124EET1G价格参考。ON SemiconductorDTC124EET1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-75, SOT-416。您可以下载DTC124EET1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTC124EET1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor(安森美半导体)的DTC124EET1G是一款预偏置双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。其应用场景主要包括以下方面:

1. 音频放大器:  
   DTC124EET1G适用于低噪声、高增益的音频信号放大电路,能够提供稳定的性能,特别是在前置放大器或功率放大器中。

2. 开关电路:  
   该晶体管可作为开关元件用于数字逻辑电路或电源管理模块中,例如驱动继电器、LED或其他低功耗负载。

3. 传感器信号调理:  
   在传感器应用中,DTC124EET1G可用于信号放大和处理,尤其是在需要高精度和低噪声的场景下,如温度传感器、压力传感器等。

4. 射频(RF)和无线通信:  
   预偏置特性使其适合某些射频应用,例如低功率无线发射机或接收机中的信号放大。

5. 电源管理:  
   可用于线性稳压器或电流调节电路中,帮助实现稳定的电压输出或电流控制。

6. 工业自动化:  
   在工业控制领域,这款晶体管可以用来驱动小型电机、电磁阀或步进电机控制器中的信号放大。

7. 消费电子设备:  
   包括家用电器、遥控器、玩具等产品中,用于信号放大或简单的开关功能。

由于DTC124EET1G具有预偏置设计,它简化了电路设计过程,减少了对外部偏置元件的需求,从而降低了整体复杂性和成本。这种特性使得它特别适合对稳定性、可靠性和易用性有较高要求的应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor DTC124EET1G-

数据手册

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产品型号

DTC124EET1G

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 300µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

60 @ 5mA,10V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

SC-75,SOT-416

其它名称

DTC124EET1GOSDKR

典型电阻器比率

1

典型输入电阻器

22 kOhms

功率-最大值

200mW

功率耗散

0.2 W

包装

Digi-Reel®

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-75,SOT-416

封装/箱体

SC-75-3

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 预偏压

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

22k

电阻器-基底(R1)(Ω)

22k

直流集电极/BaseGainhfeMin

60

系列

DTC124EE

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极连续电流

0.1 A

频率-跃迁

-

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