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DTC124EET1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DTC124EET1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC124EET1G价格参考。ON SemiconductorDTC124EET1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-75, SOT-416。您可以下载DTC124EET1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTC124EET1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美半导体)的DTC124EET1G是一款预偏置双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。其应用场景主要包括以下方面: 1. 音频放大器: DTC124EET1G适用于低噪声、高增益的音频信号放大电路,能够提供稳定的性能,特别是在前置放大器或功率放大器中。 2. 开关电路: 该晶体管可作为开关元件用于数字逻辑电路或电源管理模块中,例如驱动继电器、LED或其他低功耗负载。 3. 传感器信号调理: 在传感器应用中,DTC124EET1G可用于信号放大和处理,尤其是在需要高精度和低噪声的场景下,如温度传感器、压力传感器等。 4. 射频(RF)和无线通信: 预偏置特性使其适合某些射频应用,例如低功率无线发射机或接收机中的信号放大。 5. 电源管理: 可用于线性稳压器或电流调节电路中,帮助实现稳定的电压输出或电流控制。 6. 工业自动化: 在工业控制领域,这款晶体管可以用来驱动小型电机、电磁阀或步进电机控制器中的信号放大。 7. 消费电子设备: 包括家用电器、遥控器、玩具等产品中,用于信号放大或简单的开关功能。 由于DTC124EET1G具有预偏置设计,它简化了电路设计过程,减少了对外部偏置元件的需求,从而降低了整体复杂性和成本。这种特性使得它特别适合对稳定性、可靠性和易用性有较高要求的应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor DTC124EET1G- |
数据手册 | |
产品型号 | DTC124EET1G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 5mA,10V |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | SC-75,SOT-416 |
其它名称 | DTC124EET1GOSDKR |
典型电阻器比率 | 1 |
典型输入电阻器 | 22 kOhms |
功率-最大值 | 200mW |
功率耗散 | 0.2 W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
封装/箱体 | SC-75-3 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
系列 | DTC124EE |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极连续电流 | 0.1 A |
频率-跃迁 | - |