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- 型号： MUN5115T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5115T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5115T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5115T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5115T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5115T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5115T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置型双极结型晶体管（BJT），集成了内置偏置电阻，简化了电路设计。该器件属于NPN型预偏置晶体管，适用于中低功率开关和放大应用。 其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备：由于集成偏置电阻，减少了外围元件数量，适合空间受限的手机、平板、可穿戴设备中的信号切换与控制电路。 2. 电源管理：用于DC-DC转换器、负载开关或电源使能控制，实现高效、快速的开关操作。 3. 逻辑电平转换：在不同电压逻辑系统间进行信号转换，如将3.3V逻辑驱动5V输入，广泛应用于微控制器接口电路。 4. LED驱动：作为小功率LED的开关控制，用于背光、指示灯等场景，具备稳定导通特性。 5. 消费类电子产品：如家电控制板、遥控器、传感器模块中，用于信号放大或继电器/蜂鸣器驱动。 MUN5115T1G采用SOT-23封装，体积小巧，便于表面贴装，适合自动化生产。其内置串联电阻（通常为基极与发射极之间配置）提升了稳定性，防止误触发，增强了抗噪能力。同时，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅工艺。 综上，MUN5115T1G凭借高集成度、高可靠性和小尺寸，广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中的低功耗开关与信号处理场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN5115T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
| 功率-最大值 | 202mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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