Datasheet下载- 型号： MMUN2213LT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMUN2213LT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMUN2213LT1价格参考。ON SemiconductorMMUN2213LT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMUN2213LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMUN2213LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMUN2213LT1 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管（BJT），属于单管结构。该器件内部集成了一个NPN晶体管和两个用于偏置的电阻，通常用于简化电路设计并提高稳定性。 应用场景包括： 1. 开关电路：适用于数字电路中的开关控制，如逻辑电平转换、继电器驱动、LED驱动等，预偏置电阻可减少外围元件数量，提升响应速度。 2. 放大电路：在低频信号放大中作为前置放大器或驱动放大器使用，适合对成本和空间有要求的小信号放大场合。 3. 电源管理：可用于电源开关或负载控制，如电池供电设备中的电源切换电路。 4. 汽车电子：因ON Semiconductor器件常符合汽车级标准，该型号可应用于汽车控制系统中的传感器驱动、继电器控制等场景。 5. 消费类电子产品：广泛用于手机、平板、智能穿戴设备等便携产品中，实现信号切换、马达驱动、音频开关等功能。 6. 工业控制：用于PLC模块、工业传感器、电机控制等场合，实现信号隔离与驱动功能。 该器件采用SOT-23小尺寸封装，适合高密度PCB布局，具有良好的热稳定性和可靠性，适合批量生产与低成本设计需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMUN2213LT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMUN2213LT1OSCT |
| 功率-最大值 | 246mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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