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产品简介:
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ON Semiconductor(安森美)的NSBA144TF3T5G是一款预偏置型双极结型晶体管(BJT),集成了内置偏置电阻的NPN晶体管,适用于多种低功耗开关和信号放大场景。该器件常用于便携式电子设备、消费类电子产品及工业控制电路中。 典型应用场景包括:逻辑电平转换、LED驱动开关、小型继电器或蜂鸣器控制、电源管理中的开关电路,以及各类微控制器I/O接口的驱动增强。由于其内置偏置电阻,简化了外围电路设计,无需外接基极电阻,有效减小PCB面积,提高系统可靠性。 NSBA144TF3T5G采用SOT-23F小型封装,适合高密度贴装,广泛应用于智能手机、平板电脑、无线模块、传感器接口等空间受限的设备。其稳定的电气性能和高可靠性也使其适用于汽车电子中的非动力系统,如车载信息娱乐系统或车内照明控制。 总之,该型号适用于需要小型化、低功耗、高集成度的开关控制场合,特别适合批量生产中对成本和空间敏感的应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS PNP 254MW |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NSBA144TF3T5G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 1mA,10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 5mA,10V |
供应商器件封装 | * |
功率-最大值 | 254mW |
包装 | * |
安装类型 | * |
封装/外壳 | * |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
标准包装 | 8,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
频率-跃迁 | - |