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  • 型号: PDTB123ET,215
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PDTB123ET,215产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PDTB123ET,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTB123ET,215价格参考。NXP SemiconductorsPDTB123ET,215封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - 预偏压 50V 500mA 250mW 表面贴装 TO-236AB。您可以下载PDTB123ET,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTB123ET,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTB123ET,215-

数据手册

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产品型号

PDTB123ET,215

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 2.5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

40 @ 50mA,5V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

SOT-23 (TO-236AB)

其它名称

568-11242-2
934058976215
PDTB123ET T/R
PDTB123ET T/R-ND
PDTB123ET,215-ND

典型电阻器比率

1

典型输入电阻器

2.2 kOhms

功率-最大值

250mW

包装

带卷 (TR)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

峰值直流集电极电流

500 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP - 预偏压

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

500mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

2.2k

电阻器-基底(R1)(Ω)

2.2k

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

零件号别名

PDTB123ET T/R

频率-跃迁

-

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