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Datasheet下载- 型号： PDTB123ET,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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PDTB123ET,215产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTB123ET,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTB123ET,215价格参考。NXP SemiconductorsPDTB123ET,215封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - 预偏压 50V 500mA 250mW 表面贴装 TO-236AB。您可以下载PDTB123ET,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTB123ET,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTB123ET,215 是 NXP USA Inc. 推出的一款预偏置 NPN 型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-集电极电阻（R₁=2.2 kΩ，R₂=10 kΩ），采用 SOT-23 小型封装。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：用于微控制器（如 MCU、GPIO）直接驱动 LED、小型继电器、蜂鸣器或低功耗负载，无需外置偏置电阻，简化 PCB 设计； 2. 开关应用：在便携式设备（如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备）中作为高速、低功耗开关，控制电源通断或信号路径切换； 3. 传感器信号调理前端：配合光敏/霍尔等传感器作电平整形或脉冲放大，利用其内置电阻实现稳定饱和导通； 4. 电池供电设备的省电设计：具备低输入驱动电流（典型 IIN ≈ 0.3 mA @ VIN=5 V）、高直流电流增益（hFE ≥ 100 @ IC=10 mA），延长电池寿命； 5. 替代传统分立 BJT+电阻方案：提升装配良率与可靠性，适用于空间受限的消费电子、IoT 模块及工业控制板卡。 该器件额定集电极电流 IC = 100 mA，VCEO = 50 V，工作温度范围 -65°C 至 +150°C，符合 AEC-Q200（汽车级）标准，亦可用于车载信息娱乐系统中的非安全关键开关功能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTB123ET,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTB123ET,215 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 2.5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 50mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-11242-2 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 500 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PDTB123ET T/R |
| 频率-跃迁 | - |
