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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC115TT,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC115TT,215价格参考。NXP SemiconductorsPDTC115TT,215封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount TO-236AB。您可以下载PDTC115TT,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTC115TT,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTC115TT,215 是 NXP USA Inc. 推出的一款NPN型数字晶体管(带预偏置电阻的BJT),内置基极-发射极间100 kΩ上拉电阻和基极-集电极间100 kΩ下拉电阻(即R1=R2=100 kΩ),典型电流增益(hFE)约30–120,最大连续集电极电流IC为100 mA,VCEO耐压为50 V。 其典型应用场景包括: ✅ 微控制器(MCU)I/O口驱动:直接由3.3 V或5 V逻辑电平控制,无需外置偏置电阻,简化PCB设计,常用于驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极。 ✅ 电平转换与信号开关:在低功耗数字系统中实现逻辑电平缓冲/反相(如将MCU GPIO的高/低电平转换为通断控制信号)。 ✅ 便携式电子设备:因体积小(SOT-23封装)、功耗低、集成度高,广泛应用于智能手机、可穿戴设备、蓝牙模块等中的负载开关电路。 ✅ 工业与家电控制板:用于面板按键扫描、状态指示灯控制、风扇启停等中低速、中小电流开关应用。 该器件不适用于高频放大、大功率驱动或精密模拟电路,但凭借高可靠性、AEC-Q101兼容性(部分批次)及NXP成熟工艺,在消费电子与通用嵌入式系统中是成本与设计效率兼顾的优选方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN W/RES 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTC115TT,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTC115TT,215 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 250µA, 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-2148-6 |
| 典型输入电阻器 | 100 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PDTC115TT T/R |
| 频率-跃迁 | - |