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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DDTB113EU-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DDTB113EU-7-F价格参考¥0.21-¥0.21。Diodes Inc.DDTB113EU-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DDTB113EU-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DDTB113EU-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为DDTB113EU-7-F的晶体管,由Diodes Incorporated生产,属于预偏置型双极结型晶体管(BJT)中的单管结构。该器件广泛应用于需要高效、稳定和小型化设计的电子电路中。 其主要应用场景包括: 1. 数字开关电路:由于该晶体管内置预偏置电阻,可直接由逻辑电平驱动,无需外接偏置电阻,因此非常适合用于MCU(微控制器)或数字IC控制的开关电路,如LED驱动、继电器控制等。 2. 电源管理电路:可用于低功耗电源管理系统中,如负载开关、电压检测电路或电源指示灯控制。 3. 传感器接口电路:在传感器信号调理或开关控制中作为放大或开关元件使用,适用于温度、压力、光感等传感器模块。 4. 消费类电子产品:如手机、平板、智能穿戴设备、家电控制板等,用于实现电路控制、信号切换等功能。 5. 工业控制与自动化设备:用于PLC模块、继电器驱动、电机控制电路中,提供稳定可靠的开关性能。 该晶体管采用SOT-363封装,体积小、易于贴装,适合高密度PCB布局,是替代传统分立晶体管和电阻组合的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323开关晶体管 - 偏压电阻器 200MW 1K1K |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Diodes Incorporated DDTB113EU-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DDTB113EU-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 33 @ 50mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 1 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 500 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 1k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 33 |
| 系列 | DDTB113E |
| 配置 | Single |
| 频率-跃迁 | 200MHz |