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产品简介:
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ON Semiconductor(安森美)的MMUN2141LT1G是一款预偏置双极性晶体管(BJT),属于单NPN型晶体管,内置基极-发射极电阻,简化了电路设计。该器件广泛应用于需要小型化、高可靠性和低成本驱动方案的电子系统中。 典型应用场景包括: 1. 开关电路:适用于LED驱动、继电器控制、电源开关等数字开关应用,其内置偏置电阻可直接由微控制器I/O引脚驱动,无需外接电阻,节省PCB空间。 2. 信号放大与逻辑转换:用于低频小信号放大或电平转换电路,如在数字逻辑电路中实现电压匹配。 3. 便携式设备:因其小型SOT-23封装和低功耗特性,常用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间敏感的消费电子产品中。 4. 工业控制与传感器接口:作为传感器输出信号的缓冲或驱动元件,用于温度、光感、接近传感器等信号调理电路。 5. 电源管理模块:在DC-DC转换器、负载开关或电池管理电路中用作通断控制元件。 MMUN2141LT1G具有高增益、快速开关响应和良好的热稳定性,工作温度范围宽(-55°C 至 +150°C),适合严苛环境下的应用。其绿色环保设计(无铅、符合RoHS)也满足现代电子产品的环保要求。总之,该器件适用于各类中小功率、高集成度的电子控制系统,特别适合追求简洁设计和高可靠性的嵌入式应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MMUN2141LT1G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 160 @ 5mA,10V |
供应商器件封装 | SOT-23 |
功率-最大值 | 246mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
频率-跃迁 | - |