ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > PDTC124ET,235
Datasheet下载- 型号： PDTC124ET,235
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC124ET,235由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC124ET,235价格参考。NXP SemiconductorsPDTC124ET,235封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount TO-236AB。您可以下载PDTC124ET,235参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTC124ET,235 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTC124ET,235 是 NXP USA Inc. 推出的一款内置偏置电阻的 NPN 型数字晶体管（Digital Transistor），属于预偏置双极结型晶体管（BJT）类别。其内部集成基极-发射极间上拉电阻（R1=220 kΩ）和基极-发射极间下拉电阻（R2=220 kΩ），形成标准 1:1 分压偏置结构，支持直接由低驱动能力逻辑信号（如 GPIO、微控制器输出）控制。 典型应用场景包括： ✅ 逻辑电平转换与信号开关：将 3.3V/5V MCU 输出转换为驱动继电器、LED、小型蜂鸣器或MOSFET栅极的开关信号； ✅ 嵌入式系统中的负载驱动：用于消费电子（如打印机、机顶盒）、工业控制板、家电（空调主控、洗衣机显示板）中驱动中小电流负载（最大集电极电流 IC=100 mA）； ✅ 简化电路设计：替代传统“BJT + 外置两个偏置电阻”方案，节省PCB面积、降低BOM成本与贴片工位，提升生产良率； ✅ 反相器应用：作为单级数字反相开关，实现高/低电平翻转，常用于状态指示、使能控制等数字接口电路。 该器件具有ESD防护（HBM >8 kV）、宽工作温度范围（−65°C 至 +150°C）及AEC-Q101兼容性（适用于汽车后装电子），亦见于车载信息娱乐系统、车身控制模块等非安全关键场景。注意：不适用于线性放大或高频开关（fT ≈ 250 MHz，但优化目标为开关性能）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTC124ET,235 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 934031020235 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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