Datasheet下载- 型号： NSBA143EF3T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA143EF3T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA143EF3T5G价格参考。ON SemiconductorNSBA143EF3T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA143EF3T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA143EF3T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NSBA143EF3T5G是一款预偏置双极结型晶体管（BJT），集成了内置偏置电阻，简化了电路设计。该器件属于晶体管-双极（BJT）-单，预偏置类型，采用SOT-23F小型表面贴装封装，适合高密度PCB布局。 NSBA143EF3T5G主要应用于便携式电子设备和消费类电子产品中，典型使用场景包括：智能手机、平板电脑、笔记本电脑中的信号开关与逻辑电平转换；LED指示灯或背光驱动电路；小功率继电器或蜂鸣器的控制开关；以及各类低电压、低电流的放大与开关应用。 其内置的串联基极电阻和下拉电阻使其无需外接偏置元件即可实现稳定工作，有效减小PCB面积并提高可靠性。该器件具有快速开关响应、低导通电阻和良好的热稳定性，适用于工作电压较低（通常在5V以下）的数字控制电路。 此外，NSBA143EF3T5G符合RoHS环保标准，具备无卤素和无铅特性，广泛用于工业控制、家用电器、通信模块及IoT智能设备中的小型信号控制场合。由于其高集成度和高可靠性，特别适合对空间和功耗敏感的应用环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA143EF3T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 15 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-1123 |
| 功率-最大值 | 254mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-1123 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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