Datasheet下载- 型号： MMUN2135LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMUN2135LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMUN2135LT1G价格参考。ON SemiconductorMMUN2135LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMUN2135LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMUN2135LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 MMUN2135LT1G 的晶体管，属于 ON Semiconductor（安森美半导体）公司生产的 预偏置双极性晶体管（BJT），其主要特点是内置偏置电阻，简化了电路设计，提高了稳定性。 该器件主要应用于以下场景： 1. 开关电路：由于其内置偏置电阻，适合用于逻辑控制的开关应用，如数字电路中的电平转换、继电器驱动、LED驱动等。 2. 放大电路：可用于小信号放大，如音频信号前置放大、传感器信号调理等低频放大场合。 3. 电源管理：在电源控制电路中作为开关元件使用，例如DC-DC转换器中的驱动级或负载开关。 4. 工业控制：广泛应用于工业自动化设备中的信号控制、电机驱动和继电器驱动等场景。 5. 消费类电子产品：如家用电器、智能电表、充电设备等对空间和电路简化有要求的场合。 该器件采用 SOT-23 小型封装，适合高密度布局，且具备良好的稳定性和可靠性，适用于多种中低功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3开关晶体管 - 偏压电阻器 PNP DIGITAL TRANSISTOR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MMUN2135LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMUN2135LT1G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 典型电阻器比率 | 0.047 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 246mW |
| 功率耗散 | 246 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大直流电集电极电流 | 100 mA |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 系列 | MMUN2135L |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | - |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
