Datasheet下载- 型号： DTA123EM3T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DTA123EM3T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTA123EM3T5G价格参考。ON SemiconductorDTA123EM3T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DTA123EM3T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DTA123EM3T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的DTA123EM3T5G是一款预偏置型双极结型晶体管（BJT），属于NPN结构，集成内置电阻，简化电路设计。该器件广泛应用于便携式电子设备和消费类电子产品中，典型使用场景包括： 1. 开关应用：由于其内置基极电阻，可直接通过逻辑电平（如微控制器输出）驱动，常用于LED驱动、继电器控制、电源开关等低功率开关电路，提升系统可靠性并减少外围元件数量。 2. 信号放大：适用于小信号放大电路，如音频前置放大或传感器信号调理，因其稳定的直流偏置特性，有助于提高放大电路的一致性与稳定性。 3. 逻辑电平转换：在不同电压逻辑系统间进行电平转换，例如将3.3V MCU信号转换为5V系统可识别信号，实现跨电压域通信。 4. 便携设备：因封装小型化（如SOT-23）、功耗低，广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理与信号控制模块。 5. 工业与汽车电子：满足AEC-Q101车规认证，适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（如灯光控制、电机驱动）等对可靠性和温度范围要求较高的环境。 综上，DTA123EM3T5G凭借集成电阻、节省空间、易于使用的特点，成为现代电子系统中理想的通用型预偏置晶体管解决方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DTA123EM3T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 5mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 8 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-723 |
| 其它名称 | DTA123EM3T5GOSCT |
| 功率-最大值 | 260mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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