Datasheet下载- 型号： NSBA123TF3T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA123TF3T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA123TF3T5G价格参考。ON SemiconductorNSBA123TF3T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA123TF3T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA123TF3T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NSBA123TF3T5G是一款预偏置型双极结型晶体管（BJT），集成了内置偏置电阻，简化了电路设计。该器件属于晶体管-双极（BJT）-单，预偏置类别，广泛应用于便携式电子设备和消费类电子产品中。 其典型应用场景包括：开关电路、逻辑电平转换、LED驱动控制、小型继电器或负载驱动、以及各类低功率信号放大与切换。由于内置偏置电阻，NSBA123TF3T5G无需外部基极电阻即可实现稳定工作，显著减少PCB空间占用，提高系统可靠性，特别适用于高密度贴装的便携设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。 此外，该器件具备良好的开关特性与快速响应能力，适合用于数字控制信号处理，例如微控制器与外围器件之间的接口驱动。其SOT-563（SC-89）小型封装便于表面贴装，适合自动化生产，同时支持环保无铅工艺，符合RoHS标准。 NSBA123TF3T5G具有低输入驱动需求、高可靠性和一致性，是替代传统分立晶体管加电阻组合的理想选择，广泛用于电源管理、传感器信号调理及各类低电压、低电流控制场景中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA123TF3T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-1123 |
| 功率-最大值 | 254mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-1123 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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