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- 型号： MUN5137T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5137T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5137T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5137T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5137T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5137T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5137T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置型双极结型晶体管（BJT），集成了内置偏置电阻的NPN结构，适用于多种低功耗开关和信号放大场景。其典型应用包括便携式电子设备、消费类电子产品和工业控制电路。 该器件常用于逻辑电平转换、LED驱动、小信号开关及电源管理模块中。由于集成偏置电阻，简化了外围电路设计，减少了PCB空间占用，特别适合高密度贴装的便携设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。此外，MUN5137T1G也广泛应用于各类传感器接口电路、继电器或蜂鸣器驱动电路中，作为开关元件实现高效通断控制。 其SOT-23封装体积小巧，便于自动化贴片生产，同时具备良好的热稳定性和可靠性，可在较宽温度范围内稳定工作，适用于工业级环境。由于响应速度快、功耗低，该型号在电池供电设备中表现优异，有助于延长电池寿命。 总之，MUN5137T1G凭借其集成化设计、高可靠性和紧凑封装，广泛应用于消费电子、通信设备、家电控制板及工业自动化等领域的低功率开关与驱动场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN5137T1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
| 其它名称 | MUN5137T1GOS |
| 功率-最大值 | 202mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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