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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA113ZT,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA113ZT,215价格参考。NXP SemiconductorsPDTA113ZT,215封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PDTA113ZT,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTA113ZT,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTA113ZT,215 是 NXP USA Inc. 推出的一款数字晶体管(即内置偏置电阻的NPN型预偏置双极结型晶体管,BRT),常用于简化电路设计、替代传统三极管+分立偏置电阻方案。其典型应用场景包括: - 数字逻辑电平转换与驱动:如将微控制器(MCU)或FPGA的3.3V/5V GPIO信号转换为足够电流驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或小功率MOSFET栅极。 - LED指示灯控制:内置R1=10kΩ(基极上拉)、R2=10kΩ(基极-发射极下拉),提供稳定开关特性,可直接连接MCU输出,实现低功耗、高可靠LED开关控制。 - 负载开关应用:在便携式设备(如智能穿戴、IoT传感器节点)中用作低侧开关,控制外围模块(如传感器、无线模块)的供电通断,降低待机功耗。 - 接口保护与信号整形:利用其明确的开关阈值和快速响应(tON/tOFF约数十纳秒),适用于抗干扰要求不高的数字输入缓冲或按键消抖辅助电路。 - 消费类与工业控制板:广泛应用于打印机、家电主控板、电源管理模块等对成本、PCB面积和设计周期敏感的场景。 该器件采用SOT-23封装,体积小、集成度高,无需外接偏置电阻,提升生产良率与可靠性。注意其最大集电极电流IC=100mA(连续),仅适用于中小功率开关场合,不适用于线性放大或大电流驱动。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTA113ZT,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTA113ZT,215 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 35 @ 5mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 934058195215 |
| 典型电阻器比率 | 0.1 |
| 典型输入电阻器 | 1 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100mA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PDTA113ZT T/R |
| 频率-跃迁 | - |