Datasheet下载- 型号： SMUN5114T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SMUN5114T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMUN5114T1G价格参考。ON SemiconductorSMUN5114T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SMUN5114T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SMUN5114T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的SMUN5114T1G是一款预偏置双极结型晶体管（BJT），集成了内置偏置电阻，简化了电路设计。该器件属于NPN型，适用于中低功率开关和放大应用。其主要应用场景包括便携式电子设备、消费类电子产品及工业控制电路。 典型应用包括LED驱动电路中的开关控制，利用其快速响应特性实现高效通断；在电源管理模块中用于信号切换或负载开关，提升系统能效；还可用于逻辑电平转换电路，实现不同电压域之间的信号接口匹配。由于集成偏置电阻，无需外接基极电阻，减小了PCB面积，提高了可靠性，特别适合空间受限的高密度组装环境。 此外，SMUN5114T1G广泛应用于智能手机、平板电脑、无线耳机等便携设备中的小型继电器驱动、传感器信号调理和小信号放大电路。其SOT-23封装体积小巧，便于自动化贴装，适合大规模生产。器件具有良好的温度稳定性和电气性能，可在较宽温度范围内稳定工作，适用于工业级环境。 综上，SMUN5114T1G凭借其集成化设计、高可靠性和紧凑封装，成为现代电子系统中理想的开关与信号控制元件，尤其适用于对空间和功耗敏感的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3开关晶体管 - 偏压电阻器 SS BR XSTR SPCL TR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor SMUN5114T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SMUN5114T1G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
| 典型电阻器比率 | 0.21 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 202mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 系列 | MUN5114 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 频率-跃迁 | - |
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