Datasheet下载- 型号： MUN2111T1
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN2111T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN2111T1价格参考。ON SemiconductorMUN2111T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN2111T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN2111T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MUN2111T1是一款预偏置的双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。其主要应用场景包括： 1. 信号放大：MUN2111T1可用于音频和射频信号的放大，适用于低噪声、高增益的场景，例如麦克风前置放大器或无线通信设备中的小信号放大。 2. 开关应用：该晶体管可作为电子开关使用，用于控制电路中其他组件的通断状态，例如继电器驱动、LED驱动或小型电机控制等。 3. 混频与调制：在无线通信领域，MUN2111T1可以用于混频器或调制器电路，实现频率转换或信号调制功能。 4. 传感器接口：在传感器信号处理中，该晶体管可用于放大传感器输出的微弱信号，以便后续处理或显示。 5. 电源管理：在某些低功率电源管理应用中，MUN2111T1可以用作电流调节器或稳压器的一部分，确保负载获得稳定的电流或电压。 6. 脉冲发生器：通过适当的电路设计，该晶体管可以生成精确的脉冲信号，用于时钟电路或其他定时应用。 由于MUN2111T1是预偏置的晶体管，它简化了电路设计过程，减少了外部偏置元件的需求，从而提高了可靠性和稳定性。这种特性使其特别适合需要快速响应和稳定性能的应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN2111T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 其它名称 | MUN2111T1OSCT |
| 功率-最大值 | 230mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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