Datasheet下载- 型号： MMUN2115LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMUN2115LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMUN2115LT1G价格参考。ON SemiconductorMMUN2115LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMUN2115LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMUN2115LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MMUN2115LT1G是一款预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），集成了内置偏置电阻，简化了电路设计。该器件广泛应用于需要小型化、高可靠性和低成本的电子系统中。 主要应用场景包括： 1. 开关电路：常用于电源开关、LED驱动、继电器控制等场合，其内置电阻可直接通过逻辑电平驱动，无需外接偏置元件，提升设计便利性。 2. 信号放大：适用于小信号放大应用，如传感器信号调理、音频前置放大等。 3. 便携式设备：由于采用SOT-23小封装，功耗低，适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备等空间受限的电子产品。 4. 消费类电子：广泛用于家用电器、遥控器、充电器等产品中的逻辑电平转换和接口驱动。 5. 工业控制：用于PLC模块、电机驱动控制、光电耦合器驱动等工业自动化场景。 MMUN2115LT1G具备高增益、快速开关响应和良好的温度稳定性，同时符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺。其集成电阻设计不仅节省PCB空间，还提高了生产一致性，是替代传统分立晶体管与电阻组合的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 400MW SOT23-3开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MMUN2115LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMUN2115LT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMUN2115LT1GOSCT |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 功率耗散 | 246 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 160 |
| 系列 | MMUN2115L |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | - |
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