ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > RN1101ACT(TPL3)
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Datasheet下载- 型号： RN1101ACT(TPL3)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN1101ACT(TPL3)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN1101ACT(TPL3)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN1101ACT(TPL3)封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3。您可以下载RN1101ACT(TPL3)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN1101ACT(TPL3) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba半导体与存储推出的RN1101ACT(TPL3)是一款预偏置双极结型晶体管（BJT），属于单NPN型晶体管，内置串联基极电阻和下拉电阻，简化了外部电路设计。该器件适用于需要小型化、高可靠性和低功耗控制的电子设备。 典型应用场景包括： 1. 便携式电子产品：如智能手机、平板电脑中的LED驱动、电源开关或信号切换电路，得益于其小封装（如SOT-23）和低电流特性。 2. 消费类电子设备：用于遥控器、玩具、家用电器中的逻辑电平转换、继电器或指示灯控制等低功率开关功能。 3. 工业控制与传感器模块：在微控制器输出信号放大、光电传感器或接近开关中实现信号缓冲与驱动。 4. 电源管理电路：作为简单的开关元件用于DC-DC转换器的启停控制或负载开关，提升系统能效。 RN1101ACT(TPL3)集成电阻设计减少了元器件数量，提高了组装可靠性，同时降低设计复杂度，特别适合空间受限的高密度PCB布局。其工作电压和电流适中，可在宽温度范围内稳定运行，满足工业级应用需求。总体而言，该器件广泛应用于各类中小型电子系统中，作为高效、可靠的信号开关与驱动解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 50V 80MA CST3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1101ACT |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | RN1101ACT(TPL3) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | CST3 |
| 其它名称 | RN1101ACT(TPL3)DKR |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 80mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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