Datasheet下载- 型号： DTA043ZMT2L
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DTA043ZMT2L由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTA043ZMT2L价格参考。ROHM SemiconductorDTA043ZMT2L封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DTA043ZMT2L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DTA043ZMT2L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的DTA043ZMT2L是一款预偏置双极晶体管（BJT），属于NPN型，内置基极-发射极电阻，简化了电路设计。该器件常用于便携式电子设备和中低电流开关应用。 典型应用场景包括：智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的信号切换与电源管理；各类消费类电子产品中的逻辑电平转换、LED驱动控制和小功率负载开关；工业控制模块中的继电器或指示灯驱动；以及电池供电设备中的节能开关电路。 由于其内置偏置电阻，无需外接基极电阻，有效减小PCB面积，提升可靠性，特别适合高密度贴装的便携设备。工作电压和电流适中（集电极电流达100mA量级），具备良好的开关特性与温度稳定性，适用于环境温度变化较大的场合。 此外，该型号采用小型SOT-23（SC-59）封装，便于自动化贴片生产，广泛应用于对空间和成本敏感的中低端电子产品中。总体而言，DTA043ZMT2L是一款高集成度、易用性强的通用预偏置晶体管，适用于各类小型电子设备的信号与功率开关控制。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3开关晶体管 - 偏压电阻器 Digital TR PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTA043ZMT2L- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DTA043ZMT2L |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | VMT3 |
| 典型电阻器比率 | 10 |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 功率耗散 | 150 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | VMT-3 |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V |
| 集电极连续电流 | - 100 mA |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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