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Datasheet下载- 型号： RN1318(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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RN1318(TE85L,F)产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN1318(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN1318(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN1318(TE85L,F)封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM。您可以下载RN1318(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN1318(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 RN1318(TE85L,F)、品牌为 Toshiba Semiconductor and Storage 的晶体管属于 预偏置双极型晶体管（BJT），其主要特点是内部集成偏置电阻，可简化外围电路设计，提高稳定性。 该器件常用于以下应用场景： 1. 数字开关电路：由于预偏置设计，适合用于逻辑控制的开关应用，如微控制器外围驱动电路。 2. 电源管理电路：可用于电源开关、负载切换等场合，实现对小型负载的快速控制。 3. 电机驱动电路：在小型电机或风扇的控制电路中，作为驱动三极管使用。 4. LED背光驱动：适用于便携设备如手机、平板电脑的LED背光控制电路。 5. 传感器接口电路：用于放大或开关来自传感器的微弱信号，实现信号调理。 6. 消费类电子产品：如电视、音响、智能家电等，用于低功率信号处理和控制。 7. 通信设备：用于低频信号放大或逻辑控制电路中。 该晶体管具有体积小、响应快、可靠性高等优点，适合在高密度PCB设计中使用，广泛应用于便携式电子设备和自动化控制系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SC-70 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1314 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RN1318(TE85L,F) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | USM |
| 其它名称 | RN1318(TE85LF)CT |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
