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Datasheet下载- 型号： RN2303(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN2303(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN2303(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN2303(TE85L,F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RN2303(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN2303(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为RN2303(TE85L,F)、品牌为Toshiba Semiconductor and Storage的晶体管属于预偏置双极型晶体管（BJT），分类为单晶体管。该器件通常用于需要稳定偏置工作状态的电路中，简化电路设计并提升工作稳定性。 应用场景包括： 1. 数字开关电路：适用于需要高速开关操作的数字逻辑电路，如缓冲器、驱动器等，预偏置设计可减少外围元件数量。 2. 电源管理电路：在DC-DC转换器、电源开关和负载控制中作为开关元件使用。 3. 信号放大电路：适用于小信号放大应用，如音频前置放大、传感器信号调理等。 4. 汽车电子系统：如车载控制模块、传感器接口、继电器驱动等，得益于其稳定性和可靠性。 5. 工业控制设备：用于PLC、继电器控制板、工业传感器接口等自动化设备中。 6. 消费类电子产品：如智能家电、LED驱动控制、充电管理模块等，预偏置结构有助于减小PCB面积并降低成本。 该晶体管采用标准封装（如SOT-23），适用于表面贴装工艺，适合高密度PCB布局与自动化生产。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SC-70开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA -50volts 3Pin 22K x 22Kohms |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/lookup.jsp?pid=RN2303&lang=en |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Toshiba RN2303(TE85L,F)- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2301 |
| 产品型号 | RN2303(TE85L,F)RN2303(TE85L,F) |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 70 @ 10mA，5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30223 |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | USM |
| 其它名称 | RN2303(TE85LF)DKR |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 22 kOhms |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 功率耗散 | 100 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 70 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | - 100 mA |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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